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10月14日，英諾賽科（02577.HK）發(fā)布公告稱，公司正與英偉達(dá)合作，共同推動(dòng)支持800VDC電源架構(gòu)的全氮化鎵（GaN）電源解決方案，以促進(jìn)新一代人工智能數(shù)據(jù)中心“Al Factories”的發(fā)展，大幅提升能源效率及功率密度，并減少能耗與碳排放。

受此消息影響，英諾賽科10月14日盤中一度大漲超過18%，隨后漲幅有所收窄，收盤漲4.91%至81.2港元。

英諾賽科稱，800 VDC機(jī)架電源架構(gòu)為人工智能數(shù)據(jù)中心帶來(lái)突破性進(jìn)展，可實(shí)現(xiàn)更高效率、更高功率密度，同時(shí)降低能耗需求并減少二氧化碳排放。英諾賽科正與英偉達(dá)合作，攜手支持800 VDC電源架構(gòu)，為新一代GPU路線圖的擴(kuò)展提供保障。

基于48V電壓的傳統(tǒng)人工智能系統(tǒng)正面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)：效率低下、銅耗過高，超過45%的總功耗耗費(fèi)在散熱上。未來(lái)的人工智能集群（如搭載超過500塊GPU的機(jī)架）若沿用舊式PSU電源設(shè)計(jì)，將無(wú)空間容納計(jì)算單元，而800 VDC架構(gòu)正是支持系統(tǒng)從千瓦級(jí)躍升至兆瓦級(jí)的解決方案。

除了向800V機(jī)架電源過渡，該架構(gòu)還要求在800V到1V的電壓轉(zhuǎn)換中實(shí)現(xiàn)超高功率密度和超高效率。只有氮化鎵功率器件能夠同時(shí)滿足這些嚴(yán)苛要求。同時(shí)，為滿足800 VDC的功率密度要求，電源開關(guān)頻率必須提升至近1MHz，以縮小磁性元件和電容器的尺寸?，F(xiàn)有機(jī)架式電源的典型開關(guān)頻率最高可達(dá)300kHz，如果提升至1MHz可使磁芯尺寸縮減約50%。

作為業(yè)內(nèi)唯一的全棧氮化鎵供應(yīng)商及領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科是唯一實(shí)現(xiàn)1200V至15V氮化鎵量產(chǎn)的公司，可提供從800V到1V的全鏈路解決方案。這使英諾賽科成為唯一有能力為所有轉(zhuǎn)換階段提供全GaN功率解決方案的供應(yīng)商，從容應(yīng)對(duì)未來(lái)架構(gòu)為滿足更高功率需求的演變。

在可靠性方面，英諾賽科的氮化鎵同樣表現(xiàn)卓越。其第三代器件已通過嚴(yán)苛的加速應(yīng)力測(cè)試，包括加長(zhǎng)的2000小時(shí)動(dòng)態(tài)HTOL測(cè)試、高溫（175°C）驗(yàn)證及大樣本失效驗(yàn)證。自主開發(fā)的在線動(dòng)態(tài)電阻監(jiān)測(cè)與長(zhǎng)期板級(jí)應(yīng)力測(cè)試，確保其數(shù)據(jù)中心級(jí)產(chǎn)品的高性能工作壽命超過20年。

英諾賽科表示，公司第三代氮化鎵器件具備卓越的快速開關(guān)特性、高效率、高功率密度及優(yōu)異可靠性，通過整合800 VDC電源架構(gòu)與公司氮化鎵技術(shù)，人工智能數(shù)據(jù)中心將實(shí)現(xiàn)從千瓦級(jí)機(jī)架到兆瓦級(jí)機(jī)架的飛躍，開啟更高效、更高性能、更可靠且更環(huán)保的人工智能加速計(jì)算新時(shí)代。

摩根士丹利發(fā)表報(bào)告，首次覆蓋英諾賽科，評(píng)級(jí)“與大市同步”，目標(biāo)價(jià)為95港元。自2025年7月底宣布與英偉達(dá)合作以來(lái)，英諾賽科的股價(jià)幾乎翻倍。該行認(rèn)為，英諾賽科是一家領(lǐng)先的氮化鎵功率集成電路廠商，相信該公司已做好充分準(zhǔn)備，從人工智能數(shù)據(jù)中心、仿人機(jī)器人和電動(dòng)車等世俗增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素中獲益。另外，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)仍然激烈，該行認(rèn)為該公司目前的估值在很大程度上反映了市場(chǎng)的高預(yù)期。